Dispositivo CdS/CdTe para Sensoriamento de Raio X

Os detectores de radiação ionizante dependem principalmente de materiais que foram fabricados há décadas, foram feitos por cintiladores de cristal único de césio e iodeto de sódio (CsI, NaI) ou semicondutores como silício (Si), germânio de alta pureza (HPGe), e tubos cheios de gás. Entretanto, os materiais existentes têm algumas desvantagens, NaI(Tl) tem baixa resolução, (Si) tem baixa eficiência, enquanto (HPGe) exige sistema de resfriamento e todos eles são de alto custo. Nos últimos anos, um esforço internacional tem sido investido no desenvolvimento de uma gama de semicondutores compostos com grande abertura de banda e elevado número atómico para detectores de raios X e raios gama. Entre os semicondutores compostos, o telureto de cádmio (CdTe) é um dos materiais mais promissores para detectores de radiação com boa resolução de energia, alta eficiência de detecção e operação à temperatura ambiente. Neste livro, foi fabricado um detector de raios X empilhado, no qual os dispositivos Mo/CdTe/CdS/FTO são empilhados juntos e operados como um único detector.